用脉冲激光制备纳米硅的过程中，在Purcell腔中会形成等离子体晶格结构，这是等离子体激元与光子相互作用的结果，其形成的等离子体晶格......

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用脉冲激光沉积(PLD)的方法生长了掺Er Si(2nm)/Al2O3(1.5nm)多层薄膜,后期对其进行不同温度下的快速热退火(RTA)处理。在非Er离子......

采用一步法制备氨基化纳米硅,以环氧端基聚乙二醇(PEG)对纳米硅进行表面改性,制得Si-g-PEG纳米复合粒子,并以此对聚氧化乙烯(PEO)......